先进封装产能扩张与HBM供应链双源化同步推进，代工竞争从制程微缩延伸至封装与存储全栈整合。
01 · TSMC连续三年CoWoS产能翻倍仍供不应求，Samsung以2nm加先进封装全栈方案应战
台积电先进封装部门负责人Ho Chun在OCP APAC峰会上披露，过去三年每年CoWoS产能翻倍，现运营10座专用先进封装厂，仍无法满足AI芯片客户全部需求。三星电子将博通合作从HBM供应扩展至亚2nm代工与先进封装，并加速德州Taylor工厂2nm量产基建；双方均将High-NA EUV商用部署推迟至2030年前后的1nm节点。
核心看点：先进封装与制程微缩并列为AI芯片竞争力核心变量，竞争格局转向存储、代工、封装一体化的全栈供给能力对比。
02 · 韩媒称SK海力士拟以Intel代工HBM4E基座芯片，公司回应部分表述不准确
韩国Herald Economy报道，SK海力士正评估将HBM4E基座芯片代工由台积电单一来源扩展为台积电与Intel双源策略，最早HBM4E世代启动。HBM4E基座芯片承担定制逻辑功能（内存控制器、PHY），需逻辑工艺制造，此前仅考虑台积电。SK海力士回应称报道部分内容不准确，未否认存在供应商多元化评估。
核心看点：基座芯片逻辑化后，存储厂商代工议价结构出现变化窗口；Intel Foundry获得进入AI存储供应链的潜在切入点。
03 · EDA三巨头在TSMC北美技术研讨会上对齐亚2nm与先进封装设计流程
Synopsys、Cadence与Siemens EDA在TSMC 2026北美技术研讨会上同步宣布扩展代工合作，覆盖亚2nm工艺与先进封装。Synopsys展示Fusion Compiler在TSMC A14节点的agentic run assistance（NanoFlex Pro架构）与3DIC Compiler对5.5倍光罩CoWoS生产力的提升；Futurum认为最快交付经认证量产流程的EDA厂商，将在2028-2029年节点密集期优先锁定设计订单。
核心看点：Agentic EDA进入面向量产节点的流程认证竞争，CoWoS生产力工具是AI加速器设计方当前最紧迫的瓶颈解法。
04 · SanDisk投资者日发布长期目标：939亿美元NBM长协覆盖约半数FY2027出货
SanDisk发布面向2030年的长期目标：8份NBM长期供货协议（含三家美国超大规模云厂商）总合同价值939亿美元（底价口径），加权平均期限超4年，底价口径毛利率约80%。TrendForce预计上季度NAND合约价环比上涨70%-75%，本季度回落至10%-15%，主因需求触顶而非新增供给，产能缓解预计2027年下半年。
核心看点：NBM长协将NAND收入结构从周期定价转向类年金模式，结构性改变存储厂商的周期暴露。
来源：Yahoo Finance（Motley Fool）、24/7 Wall St.
参考资料
- TSMC Doubles Advanced Packaging Capacity Over Three Years
- SK hynix Eyes Intel Foundry for HBM4E Base Die
- SK hynix Disputes Report That Intel Could Manufacture HBM Base Dies
- EDA Vendors Race to Align With TSMC's Angstrom-Era Roadmap
- Sandisk Rode an Estimated 70% Jump in NAND Prices
- SanDisk Rally Continues on Friday
