HBM、玻璃基板与测试产能同时进入扩产主线：AI算力供给的约束正从制程微缩转向先进封装与测试环节。

半导体AI日报 · 2026-09-30: 三星：明年HBM占DRAM晶圆产能近三成

01 · 三星：明年HBM将占全行业DRAM晶圆产能近三成

9月29日，三星电子执行副总裁金大雄（Kim Taewoo）表示，预计2027年HBM将占DRAM芯片厂商总晶圆产能的近30%，较目前的约20%明显上升。他指出，HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，扩大HBM产量可能限制标准DRAM供应。

核心看点：HBM与通用DRAM共用前端晶圆产能，HBM占比抬升意味着通用DRAM的供给侧约束将随AI算力需求持续显性化；三星给出的30%口径是存储产能再配置强度的直接信号，市场关注其对未来通用DRAM价格与供货周期的影响。

来源：Reuters

02 · 英伟达评估玻璃基板方案，联手SCHMID推进设备开发，目标2028年前落地

据《首尔经济日报》9月24日报道，英伟达正在评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作开发玻璃基板制造设备，希望韩国、日本基板厂商在两年内完成开发，最快于2028年前落地。SCHMID首席战略官表示，玻璃通孔（TGV）金属化环节仍存在技术难点，客户认证尚未完成。

核心看点：玻璃基板用于解决大型AI芯片封装中有机载板（ABF）的翘曲与布线密度极限，可支撑更大封装面积与更高HBM堆叠密度。设备端（TGV金属化）与客户认证是量产前两大关卡。注：该信息为供应链报道，英伟达未官方确认产品采用。

来源：全球半导体观察（转引首尔经济日报）

03 · 英伟达与保险公司洽谈，探讨分担AI芯片融资风险

据《金融时报》9月29日报道，英伟达正与保险公司探讨将AI芯片采购融资风险部分转移的机制。方案之一为向为新兴云服务商（Neocloud）提供贷款的机构提供贷款保险：若借款企业违约且作为担保的GPU芯片无法以足够价格转售覆盖债务，保险覆盖部分损失。黄仁勋正推动芯片需求超越大型科技企业集团。

核心看点：GPU融资模式从纯信用走向「信用+保险」结构，降低Neocloud等中小算力服务商的融资门槛，可能吸引银行与私募信贷资金进入AI算力基建。英伟达商业模式正从硬件销售向芯片融资生态延伸；相关讨论尚处早期，未必促成具体交易。

来源：财联社（转引金融时报）

04 · 长鑫科技拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目与存储器晶圆后道测试基地二期

长鑫科技（688825.SH）9月28日公告，拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，并通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装。两个项目投资总额分别为241亿元和108亿元。

核心看点：合计349亿元的超募资金投向中，后道测试基地二期直指DRAM量产的测试产能瓶颈——与本期第05条AI芯片测试负载上升的行业趋势相互印证；国产DRAM龙头以资本市场融资持续加码制程研发与测试产能。

来源：东方财富（第一财经）

05 · AI芯片量产测试瓶颈：Rubin世代测试时间将达Hopper的2.5倍

据韩媒《每日经济》9月29日报道（中新经纬转引），凯登斯数据显示：英伟达Hopper的测试成本占总制造成本比例约1.9%，Blackwell已升至2.5%，下一代Rubin预计进一步提高；系统级测试时间预计从Hopper的1倍增至Rubin的约2.5倍。高性能AI芯片功耗已超过1000W、未来或达2000W，最终测试需应对约8000W发热的精密温控。

核心看点：测试正从制造后端的单一工序扩展为覆盖设计、封装、量产的全流程核心工序；自动测试设备（ATE）厂商直接受益，爱德万测试年初至今上涨约72%、泰瑞达上涨约106%。