观点:当制程微缩逼近物理极限,性能竞赛的主线正在后移——华为的逻辑折叠、玻璃载板的产业化与HBM底座的逻辑工艺化,都把筹码押在三维集成上。
9月6日,华为半导体负责人何庭波在中科院科技论文预发布平台ChinaXiv更新论文,将今年5月公开的“韬定律”从理论推演推进到量产验证。论文披露麒麟2026晶体管密度提升55%,相同性能下NPU功耗下降66%、GPU下降58%、CPU性能核心下降41%。何庭波指出芯片内部的主要能耗来自数据传输而非计算本身,逻辑折叠采用热感知布局缩短芯粒间距离。按路线图,混合键合间距将从1.5微米缩小至麒麟2027的1微米,三年内推进到720纳米,CPU核心频率目标5GHz。
核心看点:量产实测数据直接反驳“堆叠必发热”的行业质疑,逻辑折叠把先进封装从“替代方案”推向“独立技术路线”。
9月1日,TRUMPF在迪琴根与台北宣布开发出同类首个工业化玻璃载板镀膜工艺,以其HiPIMS高功率脉冲磁控溅射产品线支撑下一代高性能AI处理器的玻璃通孔(TGV)量产。公司指出,玻璃载板需在玻璃板上钻出并金属化数百万个微观通孔,少量镀膜缺陷即可使整块玻璃面板报废;该工艺通过高电离等离子体与电磁场控制,把带电粒子精确导向深而窄的通孔结构,提升镀膜均匀性、工艺稳定性与量产良率。
核心看点:AI芯片性能竞争从前端制程微缩转向后端载板环节,玻璃载板从样品验证进入量产工艺窗口。
来源:TRUMPF
HotChips 2026上,三星披露HBM三阶段演进路线图:第一阶段cHBM4将内存控制器等功能下沉至Base Die,为XPU释放5%—10%硅片面积并以D2D PHY缩短数据路径;第二阶段在Base Die富余空间整合内存扩展控制器与RAS遥测;终局形态zHBM将DRAM直接堆叠于XPU之上、取消中介层,相对HBM4E可实现70%功耗下降与230%带宽提升。三星HBM4的Base Die已采用4nm逻辑工艺,SK海力士则搭配台积电12nm方案,两家HBM4产品定义随工艺分叉,HBM从单一存储器件转向“存储+逻辑+封装+IP+EDA”一体化系统。
核心看点:HBM从数据容器变为可编程系统组件,其设计边界从DRAM厂延伸至逻辑代工、先进封装与EDA工具链。
Synopsys于8月26日公布Q3 FY2026业绩:营收24.77亿美元,同比增长42%,高于指引上限;Design Automation收入20亿美元,同比增长53%;Ansys贡献收入6.22亿美元。公司将全年FY2026营收指引上调至96.9亿—97.4亿美元(含Ansys约29.8亿美元),非GAAP EPS指引15.04—15.10美元,Q4 EDA增速预期加速至双位数。管理层表示AI相关设计需求为核心驱动,Multiphysics Fusion多物理场融合方案已获英伟达、联发科等客户验证,预计自FY2027起贡献EDA增长。
核心看点:Agentic EDA需求已转化为可量化收入,EDA行业的增长曲线正被AI设计复杂度与多物理场整合重塑。
来源:Synopsys IR / Futurum
据路透社8月19日报道,三星已将SF4/SF5先进制程新订单提价最高15%,8nm提价近10%,中国客户承担的比例最高。台积电亦被报道拟于2027年1月起对全制程提价最高10%。Counterpoint数据显示,台积电占2026年一季度全球代工收入的70%以上,其3nm产能已被预订至2027年,2026年2nm产能已被苹果、英伟达、AMD等客户锁定;fabless设计商正将三星视为领先制程唯一可行的产能溢出出口,两大家同时提价意味着代工产能的定价权重估。
核心看点:AI需求使代工竞争从扩产叙事转向定价权叙事,AI基建供应链成本中枢整体上移。
来源:Reuters / Yahoo Finance