半导体AI日报 · 2026-08-13: 定制HBM时代开启，先进封装CoWoS扩产提速

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半导体AI日报封面

AI算力扩张的重心正由逻辑制程微缩转向先进封装产能、定制化存储与功率器件供给：供应链各环节同步扩产与卡位，构成当前产业主线。

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今日观点AI infrastructure competition has moved beyond logic scaling into packaging capacity, custom memory, and power delivery — each supply chain layer racing to secure its share.
视觉隐喻3D stacked silicon towers rising from a sprawling grid of interlayer substrates, current flowing through dense vertical interconnects, thin wafers under mechanical tension, an expanding matrix of packaging tiles toward a bright horizon
随机选择框架 #1（abstract close-up, glowing light trails）+ 色调 #8（rich plum and burnished bronze）+ 种子 78891
完整 Promptabstract close-up of three-dimensional stacked silicon towers rising from a sprawling grid of interlayer substrates, glowing current flowing upward through dense vertical interconnects, thin wafers bending under mechanical tension, light refracting through stacked dies, an expanding matrix of packaging tiles reaching toward a bright horizon, glowing light trails, rich plum and burnished bronze color grading, professional editorial quality, no text no watermark no letters
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01 · 矽品斗六新厂动工，千亿新台币扩充CoWoS产能

8月11日，日月光投控旗下矽品精密（SPIL）在云林斗六举行新厂动工仪式，项目投资近新台币1000亿元、占地6公顷，将导入CoWoS先进封装产线，一期产能预计2028年投产。矽品近两年累计投入新台币2000亿元以承接AI与高性能计算需求，董事会另通过现金增资，拟发行8.097亿股新股、募集新台币161.94亿元，主要用于AI芯片封测产能扩张。

核心看点：CoWoS产能供不应求正从台积电外溢至封测代工厂，OSAT厂商以千亿级资本开支切入晶圆级先进封装；矽品与英伟达、AMD在HPC与AI芯片后端封装长期合作，斗六厂与虎尾厂将构成其在云林的两大生产基地，先进封装产能竞赛进入千亿级资本开支阶段。

来源：TrendForce（引工商时报、经济日报、中央社）

02 · Navitas起诉瑞萨GaN专利侵权，AI数据中心功率器件竞争升温

8月10日，氮化镓（GaN）功率半导体厂商Navitas向美国德州东区联邦法院起诉瑞萨电子，指控其SuperGaN功率器件产品线侵犯Navitas四项GaN专利（US 9,929,079、US 11,545,838、US 11,770,010、US 11,862,996），涉及电源转换与能效技术，请求法院判令禁令并赔偿损失。此前7月22日，瑞萨已在北加州联邦法院起诉Navitas及其CEO，指控其携瑞萨下一代GaN芯片的机密信息入职。

核心看点：争端源头可追溯至2025年9月Navitas延揽瑞萨电源部门高管出任CEO。AI数据中心供电需求放量拉动GaN高功率产品出货，专利诉讼成为功率半导体竞争的新战线，GaN在AI电源基础设施中的战略地位随之凸显。

来源：TrendForce（引Reuters、集微网）

03 · 加州大学伯克利分校加入应用材料EPIC中心，加速AI芯片材料工艺研发

8月11日，应用材料宣布加州大学伯克利分校将以研究合作方身份加入其位于硅谷的EPIC中心。双方将围绕支撑AI计算的材料与工艺创新开展联合研究，伯克利师生可接触工业级晶圆制造设备，加速创新成果的验证与量产转化。EPIC中心定位为美国对先进半导体设备研发的最大单项投资，计划2026年内投入运营。

核心看点：产学研协同向"制造就绪"场景前置，高校研究直接对接量产级设备环境，有望加速先进材料、工艺集成与先进封装的工程化落地；该中心此前已与SK海力士等存储厂商建立长期合作，覆盖先进DRAM与HBM的材料与3D先进封装。

来源：Applied Materials（GlobeNewswire）

04 · 美光称HBM4E开启定制HBM时代，存储供给或走向双供应商格局

8月10日KeyBanc科技论坛上，美光高管表示定制HBM将自HBM4E起成为行业主流方向，公司将与客户合作开发定制SKU，针对不同AI加速器的带宽与容量需求适配。美光同时透露，数据中心存储需求旺盛，其供应能力仅能满足客户需求的一半左右，多家美国云厂商已签署覆盖至2030年后的多年期长约。

核心看点：TrendForce据此预测3Q26服务器DRAM合约价环比上涨13%至18%。HBM自标准化走向按客户定制，基础die与逻辑工艺绑定加深，供应链议价结构随之重塑；HBM市场或向双供应商乃至单供应商格局收敛，存储厂商与AI芯片客户的协同设计成为竞争焦点。

来源：TrendForce（引Investing.com）

参考资料

  1. TrendForce — ASE's SPIL Breaks Ground on Nearly TWD 100B Plant in Douliu to Boost CoWoS Capacity
  2. TrendForce — GaN Patent Battle Heats Up: Navitas Sues Renesas After Trade-Secret Claims
  3. Reuters — Navitas sues rival chipmaker Renesas for patent infringement
  4. Applied Materials — UC Berkeley to Join Applied Materials' EPIC Center to Speed Chip Innovation
  5. TrendForce — Micron Flags HBM4E as Start of Custom HBM Era
  6. TrendForce — Micron Meets Less Than Half of Data Center Demand

📊 去重报告：对比 2026-08-10、08-11、08-12 三期日报（13 条标题 / 19 个来源 URL），剔除 0 条重复候选，保留 4 条今日资讯。